Прибор предназначен для изучения внутренней микро- и нано- структуры исследуемых материалов, их локального химического состава, типа и параметров кристаллической решетки

• Латеральное разрешение 0.79  Ангстрем
• Диапазон энергий электронов 80-300 кВ
• Энергетическое разрешение EELS 0.7 эВ, пространственное разрешение 0.1 нм
• Снабжен корректором сферических аберраций

Возможности:  

• Диапазон энергий электронов 60-300 кВ
• Разрешение: 0.75 Ангстрем
• СПЭМ-разрешение 0.2 нм
• Криообработка образцов в жидком этане
• Автоматизированная загрузка и анализ  до 12 образцов за одно исследование

Сканирующий электронно-ионный микроскоп Helios представляет собой комбинацию  фокусированного ионного пучка (ФИП) и сканирующегоэлектронного микроскопа. Предназначен для восстановления 3D-структуры образца посредством послоевого травления образца с помощью ФИП, подготовки образцов для ПЭМ, проведения микроанализа элементов сечения дефекта

• Разрешение электронного пучка 0.8 нм при энергии 15 кВ
• Разрешение ионного пучка 4.5 нм при энергии 30 кВ
• Ускоряющее напряжение 100 В: 30 кВ (электроны), 100 В – 30 кВ (ионы)
• Возможность напыления Pt, W, C

Позволяет исследовать объект с помощью арсенала методов сканирующей зондовой микроскопии — АСМ, МСМ, СТМ, СБМ

Возможности:

• Возбуждение ФЛ и КР лазерами с длинами волн 473, 632, 785 нм
• Диапазон исследования 190-8500 см-1
• Диапазон сканирования по XY 50 мкм, по Z 75 мкм
• Апертура для СБМ 100 нм

Предназначен для исследования морфологии поверхности, механических, электрических и магнитных свойств тонкопленочных материалов в условиях контролируемой атмосферы

Возможности:

• Контактный режим (в том числе микроскопия латеральных сил)
• Полуконтактный режим
• Режим снятия силовых кривых
• Электростатическая силовая микроскопия
• Магнитная силовая микроскопия
• Кельвин-зондовая силовая микроскопия
• Диапазон температур от -35оС до 250оС               

Позволяет решать широкий спектр задач в области атомно-силовой микроскопии, предусматривает возможность изучения физических и химических свойств поверхности образца с высокой точностью и разрешением

Возможности:  

• Разрешение позиционирования 5 мкм
• АСМ (контактная, полуконтактная, безконтактная)
• Латерально-силовая микроскопия
• Отображение фазы
• Модуляция силы
• Отображение адгезионных сил
• Литографии: АСМ (силовая)

Основная приборная база в составе:

• Ультрамикротом с комплектом алмазных ножей Ultracut UC-6 (Leica, США)
• Установка для очистки образцов от органического углерода в плазме аргон-кислород Plasma Cleaner Model 1020 (Fischione , США)
• Ионная мельница для травления образцов для ПЭМ ионами Ar+ ,Ion Mill Model1010 (Fischione, США)
• Установка для механической шлифовки образцов для ПЭМ Dimpling Grinder Model 200 (Fischione, США)
• Установка для напыления золотого/углеродного покрытий на токонепроводящие образцы для исследований на СЭМ (SPI, США)
• Установка травления ионами Ar+ для приготовления образцов для ПЭМ (Gatan, США)
• Установка для оцифровки картин электронной дифракции, снятых на пленку (Ditabis, США)
• Ультразвуковая пила для вырезания 3мм дисков для пробоподготовки на ПЭМ (Fischione, США)
• Установка для фиксации образцов путем их запрессовывания в среде токо(не)проводящей полимерной резины Opal 410 (ATM, Germany)
• Установка для механической шлифовки образцов Saphir 530 (ATM, Germany)
• Отрезной высокопрецизионный станок Brilliant 221 (ATM, Germany)
• Установка для прецизионного локального травления образцов для ПЭМ с детектором вторичных ионов Nanomill Model 1040 (Fischione, США)

Доступные методики:

• Локальное травление низкоэнергетичными ионами аргона
• Механический помол; получение срезов на ультрамикротоме
• Механическая шлифовка
• Выдержка при высоком вакууме
• Микроконтроль посредством оптической микроскопии
• Напыление токопроводящих покрытий