Прибор позволяет проводить исследования электрофизических свойств различных материалов в автоматизированном режиме в широком диапазоне частот (3·10-6 – 3·107 Гц) и температур (80 – 650К)

Возможности: 

• Определение значений основных диэлектрических и электрических параметров: комплексного импеданса (в диапазоне 0.01 – 1014 Ом), диэлектрической проницаемости, тангенса угла диэлектрических потерь (с точностью до 3·10-5), комплексной проводимости
• Определение температуры фазовых переходов
• Расчет энергии активации процессов и определение температуры стеклования
• Расчет функции распределения времен релаксации, определение наиболее вероятного времени релаксации
• Тестирование и мониторинг структурных изменений при стандартных тестовых испытаниях готовых изделий

Прибор предназначен для решения научных и практических задач в области электрохимии (исследования аккумуляторных батарей и суперконденсаторов, коррозионные исследования, биоэлектрохимия)
 

Возможности:

• Циклическая вольтамперометрия (потенциостатический и гальваностатический режим)
• Вольтамперометрия с линейной разверткой потенциалов (потенциостатический и гальваностатический режим)
• Дифференциальная импульсная вольтамперометрия
• Вольтамперометрия с квадратной разверткой потенциалов
• Хроноамперометрия
• Хронопотенциометрия
• Кривые заряд/разряд
• Импеданс
• Гидродинамические измерения (вращающийся дисковый электрод)

Система предназначена для измерения вольт-амперных характеристик и вольт-фарадных характеристик активных и пассивных нелинейных компонентов электронных схем и экстракцию из снятых характеристик электрофизических параметров полупроводниковых приборов и слоев. Она построена на базе источников-измерителей (8 каналов), обеспечивающих одновременно формирование тестового воздействия напряжения на тестируемый прибор, необходимую нагрузку в цепи и осуществляющие измерение результирующего тока
 
Возможности: 

• Диапазон измерения токов:  от 0.1 фА до 1 А
• Диапазон измерения напряжения: от 1 мкВ до 200 В
• Частотный диапазон: от 10 кГц до 10 МГц
• 8 измерительных каналов

Зондовая станция предназначена для проведения комплекса электрофизических измерений на пластинах, подложках, готовых микросхемах, а также других элементов, требующих микронное разрешение при подключении электродов. Разрешение позиционера составляет 3 мкм, диаметр зонда – от 1 до 50 мкм. Станция оснащена шасси NI PXIe-1075 и системой измерения характеристик полупроводников Keithley 4200 с диапазонами измерения токов и напряжений от 0.1 фА до 1 А и от 1 мкВ до 200 В, соответственно
 
Возможности: 

• Разрешение позиционера: 3 мкм
• Диаметр зонда: 1.5, 5, 15, 50 мкм
• Измерение вольт-амперных характеристик  на постоянном и переменном сигналах

Система предназначена для измерения эффекта Холла и характеризации физических свойств полупроводниковых материалов, многослойных магнитных пленок, разбавленных магнитных полупроводников, сверхпроводников

Возможности: 

• Диапазон измерения сопротивления: от 4·10-5 до 2·1011 Ом
• Величина магнитного поля: до 9 Тл
• Диапазон температур: от 2 до 400 К
• Измерение эффекта Холла
• Измерение аномального эффекта Холла
• Определение подвижности и плотности состояний носителей заряда

Комплексы для автоматизированных измерений магнитных характеристик (намагниченности и магнитной восприимчивости) материалов с малыми величинами магнитного момента в широком диапазоне магнитных полей и температур
 
Возможности: 

• Измерения восприимчивости на частотах 0.1Гц – 1кГц
• Измерение в температурном диапазоне 2 – 400К
• Величина магнитного поля: до ±7 Тл
• Чувствительность: 2•10-7 emu при 0 Тл
• Измерение в вакууме и в инертной атмосфере

Возможности: 

• Измерения теплопроводности и термоэдс методом стационарного продольного теплового потока
• Измерение в температурном диапазоне 2.5 – 420 К
• Величина магнитного поля: до 5 Тл